Ambos tipos de orden –ferromagnético y ferroeléctrico– son esenciales para el desarrollo de las tecnologías de la información. Materiales que combinan ambos, llamados multiferroicos, son objeto de intensas investigaciones con la intención de explotarlos en aplicaciones electrónicas.
“Esta investigación explota los principios de simetría tras las estructuras ferroeléctricas y ferromagnéticas. Como resultado de dicho análisis llegamos a un modelo muy sencillo. El modelo propuesto se basa en materiales antiferromagnéticos. Dichos materiales se oponen a ser magnetizados, organizándose de modo que sus vecinos contiguos siempre están con magnetización opuesta”, así lo indica Álvaro Nuñez, académico del Departamento de Física de la FCFM - U. de Chile, quien lideró el paper.
Para el científico, el resultado muestra ser “una curiosidad, como siempre me parece el rol del antiferromagnetismo en dispositivos tecnológicos. Hay muchos ejemplos documentados, y que actualmente el lector tiene sobre sus manos, pero siempre resulta impresionante que la oposición microscópica de la materia a hacer algo, como magnetizarse en este caso, resulte en una acción controlable y tecnológicamente viable. Es como si los científicos practicaramos sicología inversa con la materia”, agregó Nuñez.
El trabajo duró 5 meses de desarrollo y utilizó la teoría de topología de bandas electrónicas. Núñez realizó la investigación junto Guidobeth Saez, alumno de doctorado en ciencias mención física de la Universidad de Chile; Mario Castro (postdoctorado) y Sebastián Allende (académico) de la Universidad de Santiago (USACH). El equipo ahora está desarrollando la generalización del modelo a sistemas 2D y 3D, para luego aplicarlo a sistemas reales ya sea en sistemas electrónicos, fotónicos, magnónicos, u otros.
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